富士通三重工場の売却も決定……これからどうなる？ 日本の半導体工場 (1/3)

2018年6月29日、台湾の専業ファウンドリーであるUMC^＊）と富士通セミコンダクターは、三重富士通セミコンダクター（MIFS）の全株式をUMCが取得することで合意したと発表した。UMCは現在MIFSの株式を15.9％保有しており、残りの84.1％の株式を富士通セミコンダクターから約576億円で取得する。譲渡手続きは、関連当局の承認を経て2019年1月1日の完了を予定しているという。
（関連記事：UMCが三重富士通を買収へ、全株式の取得で合意）。富士通三重工場（現：MIFS）の売却にはこれまでさまざまな経緯があり、これでようやく決着を見ることになりそうだ。ここではこの売却を含めて、日本の半導体工場の現状および、今後の方向性について考えてみたい。富士通はこれまで、三重工場の他に岩手工場、会津若松工場をウエハー工程ラインとして保有していた。岩手工場は2012年4月にデンソーへの売却が決定し、同年10月には譲渡手続きが完了している（関連記事：デンソーが富士通セミコンの岩手工場を買収）。会津若松工場は2017年10月、ON Semiconductor（オン・セミコンダクター）へ段階的に譲渡されることで合意、発表された。合意時点ではON Semiconductorの同工場への出資比率は40％だったが、2018年後半には60％、2020年前半には100％と出資比率を引き上げる予定である（関連記事：富士通セミコン会津200mm工場、オンセミが買収へ）。そして今回の三重工場の売却決定によって、富士通グループはすべての半導体工場を売却することになる（後工程ラインは、2012年8月にジェイデバイスへの売却が発表され、すでに譲渡が完了している）
「テクノロジー_2018/08/18」

「民生向けで業界初」のQLC SSD、韓国サムスンが４Tバイト品

Samsungは、2012年にTLC（Triple-Level Cell）フラッシュメモリー（製造技術は20nmクラス）を使ったSSD（500Gバイト品）を市場投入している。新製品は、第4世代V-NAND技術で製造する64層の１TビットQLC NANDフラッシュメモリーを32個使って、４Tバイトの大容量を実現した。ただし、TLCからQLCに変更すると、単位面積当たりのチップ容量が増して、アクセススピードが低下してしまう。「最悪の場合、スピードが半減する」（同社）という。そこで新製品では、QLCのメモリーチップをベースにしながら、SSDコントローラーはTLC向けを利用し、さらに同社の「TurboWrite」技術を採用することで、TLC NANDフラッシュメモリーベースのSSDと同等のアクセス性能を実現したという。新製品のシーケンシャル読み出し速度は540Mバイト/秒。シーケンシャル書き込み速度は520Mバイト/秒である。保証期間は3年とする。
「テクノロジー_2018/08/08」

「業界初」の96層3D NAND搭載SSD、東芝メモリが18年Q4に出荷開始

東芝メモリは、96層積層の3次元NANDフラッシュメモリーを搭載するSSD「XG6シリーズ」の開発を発表した（ニュースリリース1）。同社によれば、96層積層の3次元NANDフラッシュメモリーを搭載したSSDの開発は業界で初めてだという。新製品の「XG6シリーズ」は、PCI Express Gen3 x 4レーンとNVM Express 1.3aに対応したクライアント向けSSDである。同社の第4世代3次元フラッシュメモリー「BiCS FLASH」の技術（関連記事1）とSLCキャッシュの特性の組み合わせにより、前世代製品「XG5シリーズ」に対して性能を向上させた。シーケンシャル書き込み性能は最大2960Mバイト/秒で、「業界トップクラス」（同社）だとする。また、シーケンシャル読み出し性能は最大3180Mバイト/秒。ランダム読み出し性能は最大35万5000 IOPSで、ランダム書き込み性能は最大36万5000 IOPSである。高速化と共に低電力化も図った。動作時消費電力は最大4.7W。最も低電力な動作モードの待機電力は3mW。低消費電力が求められるモバイルPCなどに最適だという。
「テクノロジー_2018/07/30」